GS3M DO-214AB 3Amp 1000V Genel Amaçlı Doğrultucu Diyot

 

1000V 3 Amp Doğrultucu Diyot GS3M DO-214AB Genel Plastik Silikon Doğrultucu

 

 

GS3A ~ GS3M SMC Veri Sayfası.pdf

 

 

 

 

• Plastik ambalajda Underwriters Laboratory taşır
• Yanmazlık Sınıflandırması 94V-0
• Baskılı devre kartı fikri
• Cam pasifleştirilmiş Bağlantı yongası
• Düşük ters kaçak
• Yüksek ileri dalgalanma akımı kapasitesi
• Yüksek sıcaklıkta lehimleme garantili

 

 

 

 

• Kasa: Kalıplanmış plastik gövde
• Terminaller: Lehim kaplı, MIL-STD-750, Yöntem 2026 uyarınca lehimlenebilir
• Polarite: Gövde üzerinde polarite sembolü işareti
• Montaj Konumu: Herhangi
• Ağırlık: 0.008 ons, 0.225 gram

 

 

 

 

Aksi belirtilmedikçe 25 C ortam sıcaklığında derecelendirmeler Tek fazlı yarım dalga 60Hz, dirençli veya endüktif yük, kapasitif yük akımı için% 20 düşüş.

 

 

 

Parametre		SEMBOLLER	GS3A	GS3B	GS3D	GS3G	GS3J	GS3K	GS3M	BİRİMLERİ
Maksimum Tekrarlayan Tepe Ters Gerilimi		VRRM	50	100	200	400	600	800	1000	Volt
Maksimum RMS Gerilimi		VRMS	35	70	140	280	420	560	700	Volt
Maksimum DC Engelleme Gerilimi		VDC	50	100	200	400	600	800	1000	Volt
TL = 100 ° C'de Maksimum Ortalama İleri Doğrultucu Akımı		EĞER (AV)	3							Amperi
Tepe İleri Dalgalanma Akımı, 8,3 ms Nominal yüke bindirilmiş Tek Yarım Sinüs Dalgası		IFSM	100							Amperi
3A'da Maksimum Anlık İleri Gerilim		VF	1.1							Volt
Nominal DC engelleme geriliminde maksimum DC Ters Akım	Ta = 25 ° C	İR	5							uA
	Ta = 125 ° C		500

 

 

Huixin sıcak satış ürünü dahil

 

Genel Amaçlı Doğrultucu Diyot

 

Hızlı Kurtarma Doğrultucu Diyot

 

Schottky Bariyer Doğrultucu Diyot

 

Düşük VF Schottky Diyot

 

TVS Geçici Gerilim Bastırıcılar Diyot

 

Yüksek Hızlı Anahtarlama Diyotu

 

Silikon Zener Diyot

 

Silikon Köprü Doğrultucu

 

ESD Bastırıcı Diyot

 

transistor

 

Alçak Gerilim Mosfet